¤± Àü·Â¹ÝµµÃ¼ °³¹ß °æ·Â»ç¿ø ¸ðÁý ¤±
* ÀÚ°Ý¿ä°Ç
1) ´ëÁ¹ ÀÌ»óÀ¸·Î Àü±â/ÀüÀÚ/¹°¸®/ÈÇÐ/Àç·á°øÇÐ µî Àü°øÇϰí, Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß °³¹ß °æ·Â ÀÖÀ¸½Å ºÐ (Çлç´Â °æ·Â 4³â ÀÌ»ó, ¼®»ç´Â °æ·Â 1³â ÀÌ»ó ÀÖÀ¸½Å ºÐ)
2) °íÀü¾Ð ¹ÝµµÃ¼ °³¹ß °æÇè ÀÖÀ¸½Å ºÐ ¿ì´ë
3) IPM, ¸ðµâ¼³°è °æÇè ÀÖÀ¸½Å ºÐ ¿ì´ë
4) SiCCVD °øÁ¤, Wafer ºÐ¼® ¹× °¡°ø, Àü·Â¼ÒÀÚ °³¹ß °æÇè ÀÖÀ¸½Å ºÐ ¿ì´ë
5) Device Physics ÀÌÇØ ¹× ½Ç¹« °æÇè ÀÖÀ¸½Å ºÐ ¿ì´ë
6) ¿µ¾î/ÀϺ»¾î/Áß±¹¾î ´ÉÅëÇϽŠºÐ ¿ì´ë
7) ¾Æ·¡ ºÎ¿©¾÷¹« ¼öÇà °¡´ÉÇϽŠºÐ
* ºÎ¿©¾÷¹«
1) Ultra High Voltage Gate Driver IC design for SiC MOSFET, IGBT and SJ MOSFET
: Galvanic Isolation design and verification including physical implementation on BCD process
: Gate Driver Architecture/Circuit design and physical layout guide release
2) ¸ðµâ Àü±âÀû ¼³°è »ç¾ç Á¤ÀÇ, ¼ÒÀÚ ¹× ±¸µ¿IC ¼³°è»ç¾ç µµÃâ, Æò°¡¹æ¾È µµÃâ
3) Àü·Â¹ÝµµÃ¼System ÀÀ¿ë ¹× Application Guide Release
: Motor ±¸µ¿Application Guide ÀÛ¼º ¹× ½Ã½ºÅÛ°ËÁõ
: SMPS Application Guide ÀÛ¼º ¹× ½Ã½ºÅÛ°ËÁõ
4) SiCCVD Epitaxy °øÁ¤±â¼ú°³¹ß, °øÁ¤¿î¿µ, »ý»ê°ü¸®, ºÎ´ë¼³ºñ À¯Áö°ü¸®(ûÁÖ)
5) SiC ±âÆÇ Wafer, Epi-Wafer Ư¼ººÐ¼® ¹× ºÐ¼®±â¼ú °³¹ß, ǰÁú°ü¸®(ûÁÖ)
6) SiC Àü·Â¼ÒÀÚ Tech °³¹ß
: Vertical structure Design, New Device Design
: TCAD¸¦ ±â¹ÝÀ¸·Î ÇÑ Æ¯¼º¼³°è, TEG ¼³°è, Device physics study
7) TCAD ½Ç¹«
: TCAD simulation, TCAD Tool °ü¸®
* ä¿ëÁ÷±Þ
- ´ë¸®±Þ~°ú(Â÷)Àå±Þ (5¸í~6¸í ¸ðÁý)
* ±Ù¹«Áö (±Ù¹«Áö ¼±Åà °¡´É – Áö¿ø ½Ã ±Ù¹«Áö ±âÀç ¿ä¸Á)
1) ¼¿ï ¼Ãʱ¸ (Àüö¿ª ±Ùó)
2) ´ëÀü½Ã À¯¼º±¸ (±â¼÷»ç Á¦°ø)
3) ÃæºÏ ûÁֽà (±â¼÷»ç Á¦°ø)
* Á¦Ãâ¼·ù
1) À̷¼(°æ·Â±â¼ú¼ ¹× ÀÚ±â¼Ò°³¼ Æ÷ÇÔ) ÀÚÀ¯¾ç½ÄÀ¸·Î ÀÛ¼ºÇÏ¿© À̸ÞÀÏ ¼ÛºÎ
(À̷¼¿¡ ¿¬¶ôó, ÇöÀ翬ºÀ, Èñ¸Á¿¬ºÀ ±âÀç)
2) À̸ÞÀÏ Àü¼Û½Ã À̷¼ Á¦¸ñÀ» "Àü·Â¹ÝµµÃ¼-¼º¸íooo" À¸·Î ±âÀç ¿ä¸Á
* ÀüÇü¹æ¹ý
- ¼·ùÀüÇü ¢º ¸éÁ¢ÀüÇü ¢º ¿¬ºÀÇù»ó
* Á¦Ãâ¹æ¹ý ¹× Á¦Ãâ±â°£
1) Á¦Ãâ¹æ¹ý : Áö¿ø¼·ù¸¦ À̸ÞÀÏ Á¢¼ö
2) Á¦Ãâ±â°£ : 2021.11.02(È)~ä¿ë ½Ã±îÁö
* ó¿ì
1) ¿¬ºÀ : ¸éÁ¢Çհݽà °æ·Â»çÇ× °¨¾ÈÇÏ¿© ÃÖÀûÀÇ ¿¬ºÀ °áÁ¤
2) º¹¸®ÈÄ»ý : Á¦¹Ý ÁÁÀº º¹¸®ÈÄ»ý Àû¿ë
* ¹®ÀÇ»çÇ×
1) ´ã´çÀÚ : HR¸ÇÆÄ¿ö±×·ì
ÄÁ¼³ÅÏÆ®
(ÀüÈ : 02-2183-2289, À̸ÞÀÏ : ******@*******.***)
2) ±Ã±ÝÇÑ »çÇ× ÀÖÀ¸½Ã¸é ¿¬¶ô ¹Ù¶ø´Ï´Ù.