[»óÀå»ç] ¹ÝµµÃ¼ Device ¼ÒÀÚ °³¹ß (´ë¸®/°úÀå±Þ)


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¡Û BCD ¼ÒÀÚ°³¹ß


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- BCD ¼ÒÀÚ°³¹ß

- ¼ÒÀÚ Æ¯¼º Æò°¡ ¹× ºÐ¼®

- Process Integration


ÀÚ°Ý¿ä°Ç

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Power Device/Á¦Ç°°³¹ß °æ·Â 2³â ÀÌ»ó(¼®»ç), 4³â ÀÌ»ó(Çлç)

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- ¼ÒÀÚ Design ¹× Process Set-up °æÇèÀÚ


¡Û RF CMOS ¼ÒÀÚ ¹× °øÁ¤°³¹ß


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- RF CMOS Process Integration

- RF CMOS & Passive ¼ÒÀÚ ¹× °øÁ¤ °³¹ß

- ¼ÒÀÚ Æ¯¼º Æò°¡ ¹× ºÐ¼®, °³¼± (DC/RF)

- Mask Work, TEG Design & Layout

- Á¦Ç° °³¹ß, ºÒ·® ºÐ¼®, °øÁ¤ ¾ÈÁ¤È­, ¼öÀ²°³¼±

- PDK °³¹ß ¹× °ü¸®


ÀÚ°Ý¿ä°Ç

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PI(Process Integration) °æ·Â 3³â ÀÌ»ó(¼®»ç), 5³â ÀÌ»ó(Çлç)

[¿ì´ë]

- RF SOI ¼ÒÀÚ ¹× °øÁ¤, Á¦Ç° °³¹ß À¯°æÇèÀÚ

- RF °ü·Ã Àü°øÀÚ

- PDK °³¹ß À¯°æÇèÀÚ


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