1. ÁÖ¿ä¾÷¹« ¹× ¼¼ºÎÁ÷¹«
¡á ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ°³¹ß
¡à DRAM ¼ÒÀÚ°³¹ß
- Á¦Ç° ¿ä±¸ ¼º´É°ú Ç°Áú/Ư¼º/½Å·Ú¼º È®º¸¸¦ À§ÇÑ ¼ÒÀÚ ¼³°è
- Á¦Ç° ¾ç»ê¼º È®º¸¸¦ À§ÇÑ ¼ÒÀÚ Æ¯¼º ¹× ½Å·Ú¼º Çâ»ó ¹æ¾È ¿¬±¸
- ÀúÀü·Â ±â¹ÝÀÇ °í¼Ó E-Field reliable Æ®·£Áö½ºÅÍ °³¹ß
- Amplifying Circuit¿ë ¹Ì¼¼ ¼ÒÀÚ °³¹ß
¡àºÐ¼® Àåºñ¿Í Åë°èÀû/¹°¸®Àû ºÐ¼® ¹æ¹ýÀ» È°¿ëÇÑ ¼ÒÀÚ Æ¯¼º ºÐ¼®
¡à¼ÒÀÚ Core ±â¼ú °³¹ß
2. Áö¿øÀÚ°Ý(Çʼö)
- ÇзÂ: Çлç(4³â)ÇÐÀ§ ÀÌ»ó
- °æ·Â: 4³â ÀÌ»ó(¼®/¹Ú»çÇÐÀ§ ¿ì´ë)
- ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ/°øÁ¤°ü·Ã Áö½Ä Çʼö
3. ¿ì´ë»çÇ×
- ÀüÀÚ/Àç·á°øÇÐ Àü°ø
- Device Physics ±³°ú¸ñ À̼ö
- ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Æ¯¼º/½Å·Ú¼º °³¹ß/ºÐ¼® °æÇè
- High-K, FinFet(3D) ¹× Mobility Enhancement µî °í¼º´É ¼ÒÀÚ °³¹ß °æ·Â
- Energy Band/ÀÌÁ¾¹°Áú Á¢ÇÕ/¹Ú¸·¿¡ ´ëÇÑ ÀÌÇØ
- Parameter Analyzer »ç¿ë °æÇè
¡Û ±âŸ ¹®ÀÇ´Â ¾Æ·¡ ¿¬¶ôó¸¦ Âü°íÇØ ÁֽʽÿÀ. ¡Û
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