1. ÁÖ¿ä¾÷¹« ¹× ¼¼ºÎÁ÷¹« 

  ¡á ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ°³¹ß 

    ¡à DRAM ¼ÒÀÚ°³¹ß

       - Á¦Ç° ¿ä±¸ ¼º´É°ú Ç°Áú/Ư¼º/½Å·Ú¼º È®º¸¸¦ À§ÇÑ ¼ÒÀÚ ¼³°è     

       - Á¦Ç° ¾ç»ê¼º È®º¸¸¦ À§ÇÑ ¼ÒÀڠƯ¼º ¹× ½Å·Ú¼º Çâ»ó ¹æ¾È ¿¬±¸ 

       - ÀúÀü·Â ±â¹ÝÀÇ °í¼Ó E-Field reliable Æ®·£Áö½ºÅÍ °³¹ß  

       - Amplifying Circuit¿ë ¹Ì¼¼ ¼ÒÀÚ °³¹ß  

    ¡àºÐ¼® Àåºñ¿Í Åë°èÀû/¹°¸®Àû ºÐ¼® ¹æ¹ýÀ» È°¿ëÇÑ ¼ÒÀڠƯ¼º ºÐ¼® 

    ¡à¼ÒÀÚ Core ±â¼ú °³¹ß          

 


2. Áö¿øÀÚ°Ý(Çʼö) 

   - ÇзÂ: Çлç(4³â)ÇÐÀ§ ÀÌ»ó

   - °æ·Â: 4³â ÀÌ»ó(¼®/¹Ú»çÇÐÀ§ ¿ì´ë)

   - ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ/°øÁ¤°ü·Ã Áö½Ä Çʼö



3. ¿ì´ë»çÇ×

   - ÀüÀÚ/Àç·á°øÇÐ Àü°ø

   - Device Physics ±³°ú¸ñ À̼ö

   - ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Æ¯¼º/½Å·Ú¼º °³¹ß/ºÐ¼® °æÇè

   - High-K, FinFet(3D) ¹× Mobility Enhancement µî °í¼º´É ¼ÒÀÚ °³¹ß °æ·Â

   - Energy Band/ÀÌÁ¾¹°Áú Á¢ÇÕ/¹Ú¸·¿¡ ´ëÇÑ ÀÌÇØ

   - Parameter Analyzer »ç¿ë °æÇè




¡Û ±âŸ ¹®ÀÇ´Â ¾Æ·¡ ¿¬¶ôó¸¦ Âü°íÇØ ÁֽʽÿÀ. ¡Û

    HRÄÁ¼³Æà À¯ÇѼ® ÀÌ»ç 

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