ÀúÀü·Â¹ÝµµÃ¼ °³¹ß ¿£Áö´Ï¾î
¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç
¸ðÁýºÎ¹® | ´ã´ç¾÷¹« | ÀÚ°Ý¿ä°Ç | Àοø |
---|---|---|---|
ÀúÀü·Â ¹ÝµµÃ¼ °³¹ß ¿£Áö´Ï¾î |
[´ã´ç¾÷¹«] [Àü·Â¿ë ¹ÝµµÃ¼ ¿¬±¸ °³¹ß] [±Ù¹«ºÎ¼ ¹× Á÷±Þ/Á÷Ã¥]
|
[ÀÚ°Ý¿ä°Ç] °æ·Â»çÇ×: °æ·Â(4³â ÀÌ»ó ) [¿ì´ë»çÇ×] - ÀüÀÚ,Àü±â °ü·Ã Àü°øÀÚ ¹× ¼®»çÀÌ»ó [ä¿ë»çÀ¯] - ÇöÀç ÇÑÀü ³³Ç°¿ëÀ¸·Î IGBT ´Ù¼ö Á¦Ç°, SiC MOSFET °³¹ß ÁßÀ¸·Î Ãß°¡ engineer ¿µÀÔ ÇÊ¿ä |
0 ¸í |
±Ù¹«Á¶°Ç
ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼·ù
Á¢¼ö¹æ¹ý
±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×
00