¢ßƼ¾¾ÄÉÀÌ ½ÅÀÔ ¹× °æ·ÂÁ÷ ä¿ë : ½Å±â¼ú°³¹ß, Ç°Áú, Àü·«±×·ì
¸ðÁýºÎ¹® ´ã´ç¾÷¹« ¸ðÁý¿ä°Ç ¹× ÀÚ°Ý ½Å±â¼ú°³¹ß±×·ì(Á¤±ÔÁ÷) Áö¿ø ¹× °ü¸®¾÷¹« Çз : ¼®»çÀÌ»ó Àü°ø : Àç·á°øÇÐ, ±Ý¼Ó°øÇÐ, ¹°¸®ÇÐ, È­ÇÐ ¹× È­ÇаøÇÐ °æ·Â : ½ÅÀÔ ¶Ç´Â °æ·Â Çʼö : SiC CVD, SiC Epitaxy, SiC Single Crystal Growth, SiC´Ü°áÁ¤ °¡°ø, Silicon ¹× Ÿ ´Ü°áÁ¤ °¡°ø, HTCVD ¿ì´ë : ¿µ¾î ¶Ç´Â ÀÏ¾î °¡´ÉÀÚ Ç°Áú±×·ì (Á¤±ÔÁ÷) QI(Ç°Áú°³¼±) ¾÷¹« QMS³» APQP Set up Çз : ´ëÁ¹ ÀÌ»ó Àü°ø : »ê¾÷°øÇÐ ¶Ç´Â °øÇа迭 °æ·Â : 10³âÀÌ»ó ÀÚµ¿Â÷°ü·Ã Ç°Áú °æ·Â Çʼö : QMS, APQP ¿î¿ë °æÇè ¿ì´ë : IATF16949 ÀÎÁõ ¾÷¹«°æÇè QI(Ç°Áú°³¼±) ¾÷¹« DR(Design Review) ¾÷¹« Çз : ÃÊ´ëÁ¹ ÀÌ»ó Àü°ø : »ê¾÷°øÇÐ ¶Ç´Â °øÇа迭 °æ·Â : 5³âÀÌ»ó Ç°Áú °æ·Â Çʼö : CAD, CMM °æÇèÀÚ ¿ì´ë : ¿µ¾î ¶Ç´Â ÀÏ¾î °¡´ÉÀÚ Àü·«±×·ì (Á¤±ÔÁ÷) ƯÇã¹ß±¼/Ãâ¿ø/µî·Ï/À¯Áö/°ü¸® ¾÷¹« Á÷¹«¹ß¸íÁ¦µµ ¿î¿µ ¾÷¹« ƯÇãÁ¶»ç/ºÐ¼®/Æ÷Æ®Æú¸®¿À ÀÛ¼º ¾÷¹« Çз : ´ëÁ¹ÀÌ»ó Àü°ø : ¼ÒÀç°øÇÐ ¹× À¯°ü Àü°ø °æ·Â : °æ·Â 1~3³â Çʼö : ƯÇã»ç¹«¼Ò ¸í¼¼¼­ ÀÛ¼º¾÷¹« °æ·Â ¿ì´ë : ¿µ¾î ¶Ç´Â ÀÏ¾î °¡´ÉÀÚ ¼ÒÀç°øÇÐ À¯°ü Àü°ø ¼®»çÀÌ»ó ÇÐÀ§ ±â¾÷ü ¼ÒÀç°ü·Ã ƯÇã¾÷¹« °æ·ÂÀÚ ¡Ø °øÅë»çÇ× 1] °¢ ºÎºÐº° ¿¬ºÀÀº ´ç»ç ±ÔÁ¤¿¡ µû¸§ 2] Á¤±ÔÁ÷, °è¾àÁ÷ °æ·Â¸¸ ÀÎÁ¤µÇ¸ç, °æ·ÂÁõ¸í¼­ ¶Ç´Â 4´ëº¸Çè °¡ÀÔ ÀÌ·ÂÀ¸·Î È®ÀÎÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °æ·Â¸¸ ÀÎÁ¤µÊ 3] °æ±âµµ ¾È¼º ÃâÅð±Ù °¡´ÉÀÚ ¶Ç´Â ±â¼÷»ç °ÅÁÖ[¾È¼º] °¡´ÉÀÚ 4] ¹ÝµµÃ¼ Àåºñ ºÎÇ° Á¦Á¶¾÷ ±Ù¹« °æÇèÀÚ ¿ì´ë ¡Ø 2025³â ½ÅÀÔ ¹× °æ·Â ºÎ¹®º° ä¿ë ÁøÇà ÀÏÁ¤ 1) ¼­·ùÁ¢¼ö : 2025.03.11(È­) ~ 03.18(È­) 2) ¼­·ùÆò°¡ : 2025.03.19(¼ö) ~ 03.20(¸ñ) ¼ö½Ã Æò°¡ ÁøÇà 3) ¸éÁ¢¾È³» : 2025.03.21(±Ý) ~ 4. ¸éÁ¢ÀýÂ÷ 1) »ç¹«Á÷ : ¼­·ùÁ¢¼ö ¡æ ¼­·ùÆò°¡ ¡æ 1Â÷ ¸éÁ¢(È­»ó ¶Ç´Â ´ë¸é¸éÁ¢) ¡æ 2Â÷ ¸éÁ¢(´ë¸é¸éÁ¢)¡æ ä¿ë Àü °ËÁø ¡æ ÃÖÁ¾ ÇÕ°Ý 2) »ý»êÁ÷ : ¼­·ùÁ¢¼ö ¡æ ¼­·ùÆò°¡ ¡æ 1Â÷ ¸éÁ¢(È­»ó ¶Ç´Â ´ë¸é¸éÁ¢) ¡æ ä¿ë Àü °ËÁø ¡æ ÃÖÁ¾ ÇÕ°Ý ¡Ø ¸éÁ¢ ¾È³»´Â ¼­·ù ÇÕ°ÝÀÚ¿¡ ÇÑÇÏ¿© °³º° ¾È³» ¿¹Á¤À̸ç, ä¿ë ÁøÇà ÀÏÁ¤Àº ´ç»ç »ç³» ÀÏÁ¤À¸·Î ÀÎÇØ º¯°æµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.