[대기업 반도체회사]
SiC/GaN Power 제품개발(경력)
| 담당업무 | 자격요건 | 인원 |
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[담당업무] - Wide band gap power device (GaN/SiC) 응용기술 및 평가 - Wafer/PKG level switching/application setup 및 평가 - Application reliability setup 및 평가 [근무부서 및 직급/직책]
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[자격요건] -Power 제품개발 경력: 4년이상(석사), 6년이상(학사) - WBG device 응용회로 제작/평가 경험 - SiC/GaN speicfic test 를 이용한 소자 평가 경험
[우대사항] - SiC/GaN device 구조 및 공정 이해
[근무지] 경기 부천
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1 명 |
근무조건
- 고용형태: 정규직
- 급여조건: 연봉 협의후 결정
전형단계 및 제출서류
- 전형단계: 서류전형 > 1차면접 > 2차면접 > 최종합격
- 제출서류 : 이력서(경력사항과 자기소개서 포함)
접수방법
2025년 04월 11일 ~ 채용시 마감
- 접수방법: 이메일(******@*******.***)
- 접수양식: 국문이력서(MS Word 파일)
기타 유의사항
- 입사지원서 및 제출서류에 허위사실이 있을 경우 채용이 취소될 수 있습니다.
