Power Device

(SiC/GaN) 

응용기술

[담당업무]

ㆍWide band gap power device (GaN/SiC) 응용기술 및 평가

 - Wafer/PKG level  switching/application

  setup 및 평가

 - Application reliability setup 및 평가

[자격요건] 

ㆍ학력: 4년 학사 이상

ㆍ전공: 전기/전자 또는 유관 전공

ㆍ경력: Power 제품개발 경력 만 4년 이상(석사), 

   만 6년 이상(학사)

  - WBG device  응용회로 제작/평가 경험

  - SiC/GaN speicfic test 를 이용한 소자 평가 경험

[우대사항] 

ㆍWBG에 특화된 topology를 이용한 전력변환 board 설계

ㆍSiC/GaN device 구조 및 공정 이해

[기타사항]

ㆍ채용구분: 정규직
ㆍ근무지: 충북(음성)/ 기숙사 제공

ㆍ연봉: 흡족하게 협의/ 역량 우수하신 분만
ㆍ문의:  ***-****-****/ lhy@gracenpartners.com******@*******.***