Power Device(SiC/GaN) FA
                - ¹ÝµµÃ¼ ´ë±â¾÷

¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç

¸ðÁýºÎ¹® ´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

Power Device

(SiC/GaN) 

ºÒ·®ºÐ¼®

[´ã´ç¾÷¹«]

¤ýWide band gap power device (GaN/SiC) failure analysis

• Wafer/PKG/½Å·Ú¼º Æò°¡ fail Á¦Ç° Defect analysis


[ÀÚ°Ý¿ä°Ç] 

¤ýÇзÂ: 4³â Çлç ÀÌ»ó

¤ýÀü°ø: Àü±â/ÀüÀÚ ¶Ç´Â À¯°ü Àü°ø

¤ý°æ·Â:  Power Á¦Ç°°³¹ß °æ·Â ¸¸ 4³â ÀÌ»ó~

  - WBG Àü·Â¼ÒÀÚ FA ÁøÇà ¹× °á°ú ºÐ¼®

  - WBG device Wafer/PKG Æò°¡ °æÇè


[¿ì´ë»çÇ×] 

¤ýWBG ¼ÒÀÚ ½Å·Ú¼º ºÐ¼® ¹× lifetime ¿¹Ãø °æÇè

¤ýSiC/GaN device ±¸Á¶ ¹× °øÁ¤ ÀÌÇØ



[±âŸ»çÇ×]

¤ýä¿ë±¸ºÐ: Á¤±ÔÁ÷
¤ý±Ù¹«Áö: ÃæºÏ(À½¼º)/ ±â¼÷»ç Á¦°ø

¤ý¿¬ºÀ: ÈíÁ·ÇÏ°Ô ÇùÀÇ/ ¿ª·® ¿ì¼öÇϽŠºÐ¸¸
¤ý¹®ÀÇ:  ***-****-**********@*******.***


0 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇ ÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > ¸éÁ¢ÁøÇà > ÃÖÁ¾½É»ç > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Ãß°¡ Á¦Ãâ¼­·ù
    À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­

Á¢¼ö¹æ¹ý

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: ÀÎÅ©·çÆ® ä¿ë½Ã½ºÅÛ
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ÀÎÅ©·çÆ® À̷¼­, ÀÚ»ç¾ç½Ä, ÀÚÀ¯¾ç½Ä

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.