SOI-BCD °øÁ¤/¼ÒÀÚ °³¹ß/
                    (¼®,¹Ú»ç±Þ) 

               - ¹ÝµµÃ¼ ´ë±â¾÷

¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç

¸ðÁýºÎ¹® ´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

SOI-BCD °øÁ¤/
¼ÒÀÚ °³¹ß

[´ã´ç¾÷¹«]

¤ýSOI wafer±â¹Ý BCD process integration

¤ýSOI wafer±â¹Ý BCD ¼ÒÀÚ °³¹ß

¤ýSOI wafer±â¹Ý BCD ¼ÒÀÚ
   characterization


[ÀÚ°Ý¿ä°Ç] 

¤ýÇзÂ: ¼®»ç ÀÌ»ó

¤ýSOI wafer±â¹Ý BCD °øÁ¤ ¶Ç´Â ¼ÒÀÚ °³¹ß
   °æ·Â 5³â ÀÌ»ó


[¿ì´ë»çÇ×] 

¤ýSOI-BCD·Î 200VÀÌ»ó ¼ÒÀÚ ¹× °øÁ¤ °³¹ß À¯°æÇèÀÚ



[±âŸ»çÇ×]

¤ýä¿ë±¸ºÐ: Á¤±ÔÁ÷
¤ý±Ù¹«Áö: ÃæºÏ(À½¼º)/ ±â¼÷»ç Á¦°ø

¤ý¿¬ºÀ: ÈíÁ·ÇÏ°Ô ÇùÀÇ/ ¿ª·® ¿ì¼öÇϽŠºÐ¸¸
¤ý¹®ÀÇ:  ***-****-**********@*******.***


0 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇ ÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > ¸éÁ¢ÁøÇà > ÃÖÁ¾½É»ç > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Ãß°¡ Á¦Ãâ¼­·ù
    À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­

Á¢¼ö¹æ¹ý

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: ÀÎÅ©·çÆ® ä¿ë½Ã½ºÅÛ
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ÀÎÅ©·çÆ® À̷¼­, ÀÚ»ç¾ç½Ä, ÀÚÀ¯¾ç½Ä

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.