반석써치(주)

[테슬라 파트너 반도체 상장사] MOSFET 개발(H/V, M/V)

모집부문 및 자격요건

모집부문 담당업무 자격요건 인원
MOSFET 개발

[담당업무]

Position:MOSFET 개발(M/V, H/V)
*M/V, H/V-각 1명

[담당업무]
1) MOSFET Cell & Ring Design
2) Test pattern 설계 및 Layout
3) Static & Dynamic Test 및 Characterization

[자격요건]
1) 대졸 학사 이상
2) 전기/전자공학 및 반도체 관련 전공자
3) Power Device 제품 개발 경력
5) 경력: 3년~

[소속부서]
개발팀

[근무지]
서울 서초구


#반석써치 이사 #정재욱
***-****-****
******@*******.***
#천리마인재소개소

[자격요건]

경력: 경력 3년↑
학력: 대졸
직무기술: MOS, 반도체


 0 명

근무조건

  • 고용형태: 정규직
  • 급여조건: 회사내규

전형단계 및 제출서류

  • 전형단계: 서류전형 > 면접진행 > 최종심사 > 최종합격
  • 추가 제출서류
    이력서, 자기소개서

접수방법

2025-07-05 (토) 23시59분까지

  • 접수방법: 인크루트 접수
  • 접수양식: 인크루트 이력서

기타 유의사항

  • 입사지원서 및 제출서류에 허위사실이 있을 경우 채용이 취소될 수 있습니다.

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