[채용 사유]  현재 한전 납품용으로 IGBT 다수 제품, SiC MOSFET 개발 중으로 추가 engineer 영입 필요

[자격 요건] 
- 4년 이상 반도체 설계 경력자 
- 4년제 대학 졸업 이상, 반도체, 전기/전자, 물리 전공자 선호

[필요 역량]

- 반도체 소자 설계 및 제품 개발에 필요한 역량 보유자

- Si/SiC/GaN 전력용 반도체 설계 및 개발 업무 경력 또는 지식 보유자 

- 반도체 개발 관련 Tool (Layout drawing, Device simulation 등) 역량 보유자

- 반도체 소자 측정 및 분석 능력

- IGBT 및 SiC MOSFET 개발 경험자 우대 

[담당 업무]
[전력용 반도체 연구 개발]
- 소자 개발 (소자 설계 - 주 업무) 
- 반도체 설계 및 개발 업무
- 소자 설계 Tool  통한 simulation design 
- 반도체 소자 측정 및 분석
- 설계 제품 평가 및 최적화 

[근무지]  R&D 센터 (서초구 양재역) 

[전형 절차]   서류전형 > 면접 > 채용확정

[연봉]  대기업 수준이상 (업계 최고 수준) 및 인센티브 5~50% 제공