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¤ý Bipolar Power ¼ÒÀÚ °øÁ¤ ¹× Á¦Ç° ±â¼ú
¤ý MOS Bipolar ICBi-MOS °øÁ¤ ¹× Á¦Ç° ±â¼ú
¤ý IC ȸ·Î ¼³°è ¹× °øÁ¤¼³°è
¤ý Àü·Â ¼ÒÀÚ °³¹ß (Si SiC GaN)
¤ý ±¤ ¼ÒÀÚ ¹× switching ¼ÒÀÚ °øÁ¤ ¹× Á¦Ç° ±â¼ú
 
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¤ý°æ·Â : °æ·Â 10³â ÀÌ»ó

¤ýÇз : ´ëÁ¹ ÀÌ»ó (4³â)
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¤ýÀ¯°ü ¾÷¹« Àü°øÀÚ ¿ì´ë (Àü±â/ÀüÀÚ°øÇÐ, ½Å¼ÒÀç/Àç·á°øÇÐ, ¹ÝµµÃ¼°øÇÐ µî)
¤ýÀ¯°ü ¾÷¹« °æ·ÂÀÚ ¿ì´ë

±Ù¹«Á¶°Ç
¤ý±Ù¹«½Ã°£: ÁÖ 5ÀÏ(¿ù~±Ý) 08:30~20:30
¤ý±Ù¹«Áö¿ª: ÀüºÏ ¿ÏÁÖ±º ºÀµ¿À¾ µÐ»ê¸® 864-11
¤ý±Þ¿©Á¶°Ç: ¸éÁ¢ ÈÄ °áÁ¤

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¤ý¸®ÇÁ·¹½Ã : ¿¬Â÷, À°¾ÆÈÞÁ÷, ³²¼ºÃâ»êÈÞ°¡, º¸°ÇÈÞ°¡
¤ý±Þ¿©Á¦µµ : ÅðÁ÷¿¬±Ý, ¿ì¼ö»ç¿øÆ÷»ó, ÅðÁ÷±Ý, ¾ß±Ù¼ö´ç, ÈÞÀÏ(Ư±Ù)¼ö´ç, ¿¬Â÷¼ö´ç, 4´ë º¸Çè
¤ýÁö¿ø±Ý/º¸Çè : °Ç°­°ËÁø, Á÷¿ø´ëÃâÁ¦µµ, °¢Á¾ °æÁ¶»ç Áö¿ø
¤ý±³À°/»ýȰ : ±¸³»½Ä´ç(»ç¿ø½Ä´ç), Á¡½É½Ä»ç Á¦°ø
¤ýÃâÅð±Ù : Åë±Ù¹ö½º ¿îÇà, ÁÖÂ÷ÀåÁ¦°ø, ÁÖ 52½Ã°£Á¦ Áؼö
¤ýÁ¶Á÷ ¹®È­ : ȸ½Ä°­¿ä ¾ÈÇÔ, ÀÚÀ¯º¹Àå, ÀÚÀ¯·Î¿î ¿¬Â÷»ç¿ë

À¯ÀÇ»çÇ×
¤ýÀÔ»çÁö¿ø ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ¹ß°ßµÉ °æ¿ì, ä¿ëÈ®Á¤ ÀÌÈÄ¶óµµ Ã¤¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

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