[´ë±â¾÷ ¹ÝµµÃ¼È¸»ç] 

Capacitor & Diode ¼ÒÀÚ°³¹ß(°æ·Â)


´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

[´ã´ç¾÷¹«]

- ½ÃÀå ¹× °í°´ÀÇ ¿ä±¸ »çÇ׿¡ ¸Â´Â Capacitor & 

  Diode ¼ÒÀÚ¸¦ °³¹ß 

- High-k material À» ÀÌ¿ëÇÑ Porcess 

  IntegrationÀ» ±¸¼º 

Á¦Ç° ±¸ÇöÀ» À§ÇÑ Æò°¡ TEG ¸¦ °³¹ßÇϰí

  Æò°¡°á°ú¸¦ ºÐ¼®

- C-V, I-V ÃøÁ¤À¸·Î ½ÇÇè °á°ú¸¦ ºÐ¼®
Ư¼º °³¼± ¹× ºÒ·® °³¼±À» À§ÇÑ Mass Data

  ºÐ¼®À» ÁøÇà


[±Ù¹«ºÎ¼­ ¹× Á÷±Þ/Á÷Ã¥]

    Á÷±Þ/Á÷Ã¥: ÆÀ¿ø

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

ÇзÂ: ÇлçÀÌ»ó

°æ·Â: 4³âÀÌ»ó, ¹Ú»ç(Á¹¾÷¿¹Á¤ÀÚ Æ÷ÇÔ): °æ·Â¹«°ü

-  Capacitor/ Diode ¼ÒÀڹݵµÃ¼ 8´ë °øÁ¤¿¡ ´ëÇÑ ÀÌÇØ º¸À¯ÀÚ

 

[¿ì´ë»çÇ×]
- TCAD ±â¹Ý Power ¼ÒÀÚ ¼³°è (Cell&Ring) °æ·ÂÀÚ

high-k ALD Process Integration À¯°æÇèÀÚ

DRAM Capacitor °øÁ¤ ¼³°è ¹× °³¹ß À¯°æÇèÀÚ

MIM Capacitor ¿¡ ´ëÇÑ Characterization Àü¹®°¡

Data ºÐ¼®À» À§ÇÑ ¿¢¼¿ ¹× ppt ¹®¼­ ÀÛ¼º ¿ª·® º¸À¯ÀÚ


[±Ù¹«Áö] ÃæºÏ À½¼º


[±âŸ»çÇ×]

Á÷¹«º° ±¸Ã¼È­µÈ ÁÖ¿ä¾÷¹« µ¶ÀÚ ¼öÇà ¹× ¸®µù °¡´ÉÇÑ Àü¹®ÀηÂ


1 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > 1Â÷¸éÁ¢ > 2Â÷¸éÁ¢ > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Á¦Ãâ¼­·ù : À̷¼­(°æ·Â»çÇ×°ú ÀÚ±â¼Ò°³¼­ Æ÷ÇÔ)

Á¢¼ö¹æ¹ý

2025³â 08¿ù 12ÀÏ ~ ä¿ë½Ã ¸¶°¨

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: À̸ÞÀÏ(******@*******.***)
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ±¹¹®À̷¼­(MS Word ÆÄÀÏ)

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

ÁÁÀº ÀÏ Ã£À» ¶©, ÀÎÅ©·çÆ®