[담당업무]

- Si 기반 Power Discrete 소자(LV/MV/

  HV-MOSFET, IGBT등)를 개발

- 각 소자의 성능 개선 방향을 도출하고 소자

  구조 및 Full Process Flow를 설계
- Si 특성 확보를 위한 Test Pattern Layout, 

  Mask 제작, 실험 lot 운영
- 각 소자를 구현하기 위한 핵심 공정 

  set-up 및 Process Integraton
- 실험 lot의 DC/AC 특성 평가를 진행하고, 

  소자 성능 개선을 위한 

  Cell & Ring Design 및 Full Process를 제시

[근무부서 및 직급/직책]

직급/직책: 팀원

[자격요건]

- 학력: 학사이상

- 경력: 5년이상, 박사(졸업예정자 포함): 경력무관

-   Power Discrete 소자/공정/제품(LV/MV/HV-MOSFET, IGBT등) 개발 경력

[우대사항]
- TCAD 기반 Power 소자 설계 (Cell&Ring) 경력자

- Power 소자의 Data-sheet 제작 및 Board 실장 Test 경험자

[근무지] 경기 부천

[기타사항]

- 직무별 구체화된 주요업무 독자 수행 및 리딩 가능한 전문인력