[´ë±â¾÷ ¹ÝµµÃ¼È¸»ç] 

SiC/GaN FA(°æ·Â)


´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

[´ã´ç¾÷¹«]

- Wide band gap power device(GaN/SiC) ¼ÒÀç/

  ±¸Á¶/¼ÒÀÚ Àü¹ÝÀûÀÎ failure analysis

- Wafer/PKG Level¿¡¼­ÀÇ ½Å·Ú¼º Æò°¡ fail 

  Á¦Ç°¿¡ ´ëÇÑ Defect analysis, RCA(Root 

  Cause Analysis)¸¦ ÅëÇØ °³¼±¹æÇâÀ» 

  Á¦¾È/µµÃâ


[±Ù¹«ºÎ¼­ ¹× Á÷±Þ/Á÷Ã¥]

    Á÷±Þ/Á÷Ã¥: ÆÀ¿ø

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

ÇзÂ: ÇлçÀÌ»ó

°æ·Â: Çлç(5³âÀÌ»ó), ¼®»ç(3³âÀÌ»ó),

   ¹Ú»ç(Á¹¾÷¿¹Á¤ÀÚ Æ÷ÇÔ): °æ·Â¹«°ü

- WBG ¼ÒÀÚ ½Å·Ú¼º ¶Ç´Â FA¾÷¹«

 

[¿ì´ë»çÇ×]
- WBG Àü·Â¼ÒÀÚ FAÁøÇà ¹× °á°úºÐ¼® °æÇèÀÚ

- WBG¼ÒÀÚ ½Å·Ú¼º ºÐ¼® ¹× lifetime ¿¹Ãø °æÇèÀÚ

WBG device Wafer/PKG Æò°¡ °æÇèÀÚ

- SiC/GaN device ±¸Á¶ ¹× °øÁ¤ ÀÌÇØÀÚ


[±Ù¹«Áö] ÃæºÏ À½¼º


[±âŸ»çÇ×]

Á÷¹«º° ±¸Ã¼È­µÈ ÁÖ¿ä¾÷¹« µ¶ÀÚ ¼öÇà ¹× ¸®µù °¡´ÉÇÑ Àü¹®ÀηÂ


1 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > 1Â÷¸éÁ¢ > 2Â÷¸éÁ¢ > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Á¦Ãâ¼­·ù : À̷¼­(°æ·Â»çÇ×°ú ÀÚ±â¼Ò°³¼­ Æ÷ÇÔ)

Á¢¼ö¹æ¹ý

2025³â 08¿ù 12ÀÏ ~ ä¿ë½Ã ¸¶°¨

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: À̸ÞÀÏ(******@*******.***)
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ±¹¹®À̷¼­(MS Word ÆÄÀÏ)

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

ÁÁÀº ÀÏ Ã£À» ¶©, ÀÎÅ©·çÆ®