[´ë±â¾÷ ¹ÝµµÃ¼È¸»ç] 

¹ÝµµÃ¼ ±¤¼¾¼­ ¼ÒÀÚ°³¹ß(°æ·Â)


´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

[´ã´ç¾÷¹«]

- Silcon ÀÌ¿ëÇÑ ±¤¼¾¼­ ¹× CIS ¼ÒÀÚ°³¹ß

- Si°øÁ¤¿¡ Ge°øÁ¤À» integrationÇÑ SWIR´ë¿ª 

  ±¤¼¾½Ì ¼ÒÀÚ°³¹ß ¹× °øÁ¤°³¹ß

- Si ¹× Ge¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ±¤¼¾½Ì ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼ºÃøÁ¤ ¹× 

  ºÐ¼®, device±¸Á¶¸¦ ¼³°è


[±Ù¹«ºÎ¼­ ¹× Á÷±Þ/Á÷Ã¥]

    Á÷±Þ/Á÷Ã¥: ÆÀ¿ø

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

ÇзÂ: ¼®»çÀÌ»ó

- °æ·Â:  ¼ÒÀÚ°³¹ß°æ·Â: 4³âÀÌ»ó or

  . ¹ÝµµÃ¼ ±â¹Ý ±¤¼¾¼­ °³¹ß °æ·Â: 3³âÀÌ»ó or

  . À̹ÌÁö ¼¾¼­°³¹ß °æ·Â: 3³âÀÌ»ó

- ¹Ú»ç(Á¹¾÷¿¹Á¤ÀÚ Æ÷ÇÔ) ÇÐÀ§: °æ·Â¹«°ü 

 

[¿ì´ë»çÇ×]
- Ge-on-Silicon °øÁ¤°³¹ß or ¼ÒÀÚ °æÇè º¸À¯ÀÚ 

- Si CMOS±â¹Ý ±â¼ú°³¹ß °æÇ躸À¯ÀÚ

- InGaAs µî È­ÇÕ¹° ±â¹Ý ±¤¼¾¼­ °³¹ß °æÇèÀÚ

- Ge Epi Growth°ü·Ã Àü°ø ¶Ç´Â °æÇèÀÚ

- Device°³¹ß°ü·Ã ¹Ú»çÇÐÀ§ º¸À¯ÀÚ


[±Ù¹«Áö] ÃæºÏ À½¼º


[±âŸ»çÇ×]

Á÷¹«º° ±¸Ã¼È­µÈ ÁÖ¿ä¾÷¹« µ¶ÀÚ ¼öÇà ¹× ¸®µù °¡´ÉÇÑ Àü¹®ÀηÂ


1 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > 1Â÷¸éÁ¢ > 2Â÷¸éÁ¢ > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Á¦Ãâ¼­·ù : À̷¼­(°æ·Â»çÇ×°ú ÀÚ±â¼Ò°³¼­ Æ÷ÇÔ)

Á¢¼ö¹æ¹ý

2025³â 08¿ù 12ÀÏ ~ ä¿ë½Ã ¸¶°¨

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: À̸ÞÀÏ(******@*******.***)
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ±¹¹®À̷¼­(MS Word ÆÄÀÏ)

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

ÁÁÀº ÀÏ Ã£À» ¶©, ÀÎÅ©·çÆ®