SiC/GaN FA
                 - ¹ÝµµÃ¼(ÄÚ½ºÇÇ)

¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç

¸ðÁýºÎ¹® ´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

SiC/GaN FA

[´ã´ç¾÷¹«]

¤ýWide band gap power device (GaN/SiC) ¼ÒÀç/±¸Á¶/¼ÒÀÚ¿¡ ´ëÇÑ 

Àü¹ÝÀûÀÎ failure analysis


¤ýWafer/PKG level¿¡¼­ÀÇ ½Å·Ú¼º fail Á¦Ç°¿¡ ´ëÇÑ Defect analysis, RCA(Root Cause 

Analysis)¸¦ ÅëÇØ °³¼± ¹æÇâ Á¦¾È/µµÃâ


[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

¤ýÇзÂ:  4³â Çлç ÀÌ»ó

¤ýWBG ¼ÒÀÚ ½Å·Ú¼º ¶Ç´Â FA ¾÷¹« °æ·Â 5³â ÀÌ»ó, 

  - ¼®»ç3³â ÀÌ»ó~

  - ¹Ú»ç ÇÐÀ§ÀÚ´Â °æ·Â ¹«°ü


[¿ì´ë»çÇ×]

¤ýWBG Àü·Â¼ÒÀÚ FA ÁøÇà ¹× °á°ú ºÐ¼® °æÇèÀÚ

¤ýWBG ¼ÒÀÚ ½Å·Ú¼º ºÐ¼® ¹× lifetime ¿¹Ãø °æÇèÀÚ

¤ýWBG device Wafer/PKG Æò°¡ °æÇèÀÚ

¤ýSiC/GaN device ±¸Á¶ ¹× °øÁ¤ Àü¹® Áö½Ä

¤ý¹Ú»çÇÐÀ§ º¸À¯ÀÚ


[±âŸ»çÇ×]

¤ýä¿ë±¸ºÐ: Á¤±ÔÁ÷
¤ý±Ù¹«Áö: ÃæºÏ(À½¼º)/ ±â¼÷»ç Á¦°ø

¤ý¿¬ºÀ: ÈíÁ·ÇÏ°Ô ÇùÀÇ/ ¿ª·® ¿ì¼öÇϽźи¸ 

¤ý¹®ÀÇ:  ***-****-**********@*******.***


0 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇ ÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > ¸éÁ¢ÁøÇà > ÃÖÁ¾½É»ç > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Ãß°¡ Á¦Ãâ¼­·ù
    À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­

Á¢¼ö¹æ¹ý

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: ÀÎÅ©·çÆ® ä¿ë½Ã½ºÅÛ
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ÀÎÅ©·çÆ® À̷¼­, ÀÚ»ç¾ç½Ä, ÀÚÀ¯¾ç½Ä

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.