(주)에임즈인터내셔널코리아

전력반도체 개발(SiC,Mosfet,IGBT)-국내 유명 반도체 상장사

모집부문 및 자격요건

모집부문 담당업무 자격요건 인원
전력반도체 개발

[담당업무]

추천회사 : 국내 유명 반도체 상장사

자격요건 : 학사 이상의 경력 3년 이상
전력반도체 설계 및 개발 경력자(Sic,Mosfet,IGBT)
TCAD 가능자 우대

[자격요건]

경력: 경력 3년↑
학력: 대졸 이상
직무기술: 전력반도체 설계 및 개발


 0 명

근무조건

  • 고용형태: 정규직
  • 급여조건: 회사내규

전형단계 및 제출서류

  • 전형단계: 서류전형 > 면접진행 > 최종심사 > 최종합격
  • 추가 제출서류
    이력서, 자기소개서

접수방법

채용시

  • 접수방법: 인크루트 접수, 이메일
  • 접수양식: 인크루트 이력서, 자유양식

기타 유의사항

  • 입사지원서 및 제출서류에 허위사실이 있을 경우 채용이 취소될 수 있습니다.

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