(ÁÖ)¿¡ÄÚ¼¼¹ÌÅØ

[±â¼ú¿£Áö´Ï¾î] Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼³ºñ À¯Áöº¸¼ö ¹× °øÁ¤±â¼ú¿£Áö´Ï¾î

Â÷¼¼´ë Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¸ðµâ ±â¼ú·Î ¿¡³ÊÁö¸¦ Á¦¾îÇÏ´Â ±Û·Î¹ú °­¼Ò±â¾÷, ¿¡ÄÚ¼¼¹ÌÅØÀÔ´Ï´Ù

¿¡ÄÚ¼¼¹ÌÅØÀº 2015³â ¼³¸³ ÀÌ·¡ Àü·Â¹ÝµµÃ¼(IGBT, SiC, MOSFET µî) ºÐ¾ßÀÇ ÇÙ½É ±â¼úÀ» º¸À¯ÇÑ Àü¹® ±â¾÷ÀÔ´Ï´Ù. °³¹ßºÎÅÍ ¾ç»ê±îÁö °¡´ÉÇÑ ¿ø½ºÅé ½Ã½ºÅÛÀ» °®Ãß°í ÀÖÀ¸¸ç, ±¹³»¸¦ ³Ñ¾î Áß±¹¡¤Àεµ µî ¼¼°è·Î »¸¾î³ª°¡°í ÀÖ½À´Ï´Ù. źźÇÑ ±â¼ú·ÂÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î ±Û·Î¹ú ½ÃÀå¿¡¼­ ÀÎÁ¤¹Þ´Â ¿ì¸®¿Í ÇÔ²² ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ¹Ì·¡¸¦ À̲ø¾î°¥ ÀÎÀ縦 ã½À´Ï´Ù. ±â¼ú¿¡ ´ëÇÑ Àںνɰú ¼ºÀåÀ» Áß¿ä½ÃÇÏ´Â ºÐµéÀÇ ¸¹Àº Áö¿ø ¹Ù¶ø´Ï´Ù.


¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç

¸ðÁýºÎ¹® ´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø
¼³ºñ À¯Áöº¸¼ö & »ý»ê±â¼ú

[´ã´ç¾÷¹«]

- Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼³ºñ(Áø°øÀåºñ& ¿ÍÀ̾´õ ¿Ü) ¹× À¯Æ¿¸®Æ¼(N2,Air)ÀÇ ¿¹¹æ Á¤ºñ ¹× À¯Áö º¸¼ö °èȹ ¼ö¸³ ¹× ½ÇÇà
- ¹ÝµµÃ¼ ¼³ºñÀÇ °íÀå Áø´Ü ¹× ¹®Á¦ ÇØ°á
- ½Ã¼³ ¹× ¼³ºñÀÇ Áö¼ÓÀûÀÎ ¸ð´ÏÅ͸µ ¹× °ü¸®

- Àü·Â¹ÝµµÃ¼ »ý»ê ¶óÀÎÀÇ °øÁ¤ °ü¸®
- °øÁ¤ ±â¼ú ºÐ¼® ¹× ÃÖÀûÈ­ ¹æ¾È ¸¶·Ã
- »ý»ê ¼³ºñÀÇ È¿À²¼º Çâ»óÀ» À§ÇÑ ±â¼ú Áö¿ø ¹× °³¼± Ȱµ¿

- °øÁ¤ ¿£Áö´Ï¾î¸µ Áö¿ø ¹× °ü·Ã ÀÚ·á °ü¸®
- ¿ÍÀÌ¾î º»´õ ÇÁ·Î±×·¥ ÀÛ¼º
- Á¦Ç° Áö±× ¼³°è(Ä«º») ¹× ¼³ºñ µµ¸é °ËÅä ¹× ¼öÁ¤



[±Ù¹«ºÎ¼­ ¹× Á÷±Þ/Á÷Ã¥]

    Á÷±Þ/Á÷Ã¥: ´ë¸®, °úÀå, Â÷Àå, ÆÀÀå, ÆÄÆ®Àå

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

°æ·Â: °æ·Â 3³â¡è
ÇзÂ: Çз¹«°ü
Á÷¹«±â¼ú: ¼³ºñº¸Àü, ±â±¸¼³°è, ¹ÝµµÃ¼°øÁ¤, Àü·ÂÀüÀÚ, À¯Æ¿¸®Æ¼


[¿ì´ë»çÇ×]

Àü°ø°è¿­: ÀÚ¿¬°úÇа迭, °øÇа迭

1 ¸í


ÁÖ·Î ¼³ºñ ¹× À¯Æ¿¸®Æ¼ ¸ÞÀÎÅͳͽº ¾÷¹«(¾÷¹« ºñÁß 7-80%)¸¦ ÁøÇàÇÒ ¿¹Á¤À̸ç, 

Áö±× ¼³°è, ¿ÍÀ̾µù ÇÁ·Î±×·¥ ÀÛ¼º ¹× °øÁ¤°³¼± ¾÷¹« ºñÁß 20~30% Á¤µµÀÔ´Ï´Ù. 

CAD »ç¿ëÀÌ ´É¼÷ÇÏÁö ¾Ê´õ¶óµµ µµ¸é ¼öÁ¤ °¡´ÉÇÑ ¼öÁØÀÌ¸é µË´Ï´Ù. 

 

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷(¼ö½À±â°£1°³¿ù)
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇ ÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > ¸éÁ¢ÁøÇà > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Ãß°¡ Á¦Ãâ¼­·ù
    À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­

Á¢¼ö¹æ¹ý

2025-12-31 (¼ö) 23½Ã59ºÐ±îÁö

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: ÀÎÅ©·çÆ® Á¢¼ö
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ÀÎÅ©·çÆ® À̷¼­

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

00