(ÁÖ)¿¡ÄÚ¼¼¹ÌÅØ
[±â¼ú¿£Áö´Ï¾î] Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼³ºñ À¯Áöº¸¼ö ¹× °øÁ¤±â¼ú¿£Áö´Ï¾î
Â÷¼¼´ë Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¸ðµâ ±â¼ú·Î ¿¡³ÊÁö¸¦ Á¦¾îÇÏ´Â ±Û·Î¹ú °¼Ò±â¾÷, ¿¡ÄÚ¼¼¹ÌÅØÀÔ´Ï´Ù
¿¡ÄÚ¼¼¹ÌÅØÀº 2015³â ¼³¸³ ÀÌ·¡ Àü·Â¹ÝµµÃ¼(IGBT, SiC, MOSFET µî) ºÐ¾ßÀÇ ÇÙ½É ±â¼úÀ» º¸À¯ÇÑ Àü¹® ±â¾÷ÀÔ´Ï´Ù. °³¹ßºÎÅÍ ¾ç»ê±îÁö °¡´ÉÇÑ ¿ø½ºÅé ½Ã½ºÅÛÀ» °®Ãß°í ÀÖÀ¸¸ç, ±¹³»¸¦ ³Ñ¾î Áß±¹¡¤Àεµ µî ¼¼°è·Î »¸¾î³ª°¡°í ÀÖ½À´Ï´Ù. źźÇÑ ±â¼ú·ÂÀ» ¹ÙÅÁÀ¸·Î ±Û·Î¹ú ½ÃÀå¿¡¼ ÀÎÁ¤¹Þ´Â ¿ì¸®¿Í ÇÔ²² ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ¹Ì·¡¸¦ À̲ø¾î°¥ ÀÎÀ縦 ã½À´Ï´Ù. ±â¼ú¿¡ ´ëÇÑ Àںνɰú ¼ºÀåÀ» Áß¿ä½ÃÇÏ´Â ºÐµéÀÇ ¸¹Àº Áö¿ø ¹Ù¶ø´Ï´Ù.
¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç
| ¸ðÁýºÎ¹® | ´ã´ç¾÷¹« | ÀÚ°Ý¿ä°Ç | Àοø |
|---|---|---|---|
| ¼³ºñ À¯Áöº¸¼ö & »ý»ê±â¼ú |
[´ã´ç¾÷¹«] - Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼³ºñ(Áø°øÀåºñ& ¿ÍÀ̾´õ ¿Ü) ¹× À¯Æ¿¸®Æ¼(N2,Air)ÀÇ ¿¹¹æ Á¤ºñ ¹× À¯Áö º¸¼ö °èȹ ¼ö¸³ ¹× ½ÇÇà [±Ù¹«ºÎ¼ ¹× Á÷±Þ/Á÷Ã¥]
|
[ÀÚ°Ý¿ä°Ç] °æ·Â: °æ·Â 3³â¡è [¿ì´ë»çÇ×] Àü°ø°è¿: ÀÚ¿¬°úÇаè¿, °øÇÐ°è¿ |
1 ¸í |
ÁÖ·Î ¼³ºñ ¹× À¯Æ¿¸®Æ¼ ¸ÞÀÎÅͳͽº ¾÷¹«(¾÷¹« ºñÁß 7-80%)¸¦ ÁøÇàÇÒ ¿¹Á¤À̸ç,
Áö±× ¼³°è, ¿ÍÀ̾µù ÇÁ·Î±×·¥ ÀÛ¼º ¹× °øÁ¤°³¼± ¾÷¹« ºñÁß 20~30% Á¤µµÀÔ´Ï´Ù.
CAD »ç¿ëÀÌ ´É¼÷ÇÏÁö ¾Ê´õ¶óµµ µµ¸é ¼öÁ¤ °¡´ÉÇÑ ¼öÁØÀÌ¸é µË´Ï´Ù.
±Ù¹«Á¶°Ç
ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼·ù
Á¢¼ö¹æ¹ý
2025-12-31 (¼ö) 23½Ã59ºÐ±îÁö
±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×
00