대면적 GaN fab 공정개발/
(5년 이상~ )/
- 반도체(코스피)
모집부문 및 자격요건
| 모집부문 | 담당업무 | 자격요건 | 인원 |
|---|---|---|---|
대면적 GaN fab 공정개발/ (5년 이상~ ) |
[담당업무] ㆍ GaN물질 기반 Power Device향 Fab process 개발 및 평가 |
[자격요건] ㆍSi or GaN Unit process 및 process integration 경험 ㆍProcess 와 device performance 연관성 평가 경험 ㆍSi(≥8"") Etch process 경험 [우대사항] ㆍGaN device design 및 평가 경험 ㆍGaN epi 구조 및 device operation 전문지식 ㆍGaN unit process set up 및 process integration ㆍ100~650V GaN discrete 및 IC mask 제작경험 ㆍGaN process와 device performance 연관성 평가 경험 [기타사항] ㆍ채용구분: 정규직 ㆍ연봉: 흡족하게 협의/ 역량 우수하신분만 ㆍ문의: ***-****-****/ ******@*******.*** |
0 명 |
근무조건
전형단계 및 제출서류
접수방법
기타 유의사항