Power Àåºñ Çâ GaN Epi °øÁ¤°³¹ß/
(3³â ÀÌ»ó~ )
- ¹ÝµµÃ¼(ÄÚ½ºÇÇ)
¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç
| ¸ðÁýºÎ¹® | ´ã´ç¾÷¹« | ÀÚ°Ý¿ä°Ç | Àοø |
|---|---|---|---|
Power Àåºñ Çâ GaN Epi °øÁ¤°³¹ß/ (3³â ÀÌ»ó~ ) |
[´ã´ç¾÷¹«] ¤ýGaN¹°Áú ±â¹Ý power device Çâ Epi °øÁ¤ °³¹ß ¹× Æò°¡ - ´ë¸éÀû(8") GaN on Si Epi °øÁ¤ (±¸Á¶, Recipe) °³¹ß - ´ë¸éÀû(8") GaN on Si Epi ºÐ¼® ¹× WBG Epi Ư¼º/½Å·Ú¼º Æò°¡ - MOCVD ¼³ºñ °ü¸®/¿î¿µ |
[ÀÚ°Ý¿ä°Ç] ¤ýGaN on Si Epi(¡Ã8") °³¹ß/Æò°¡ °æÇè ¤ýMOCVD °ü¸®/¿î¿µ °æÇè(¡Ã3³â) [¿ì´ë»çÇ×] ¤ýGaN epi ±¸Á¶ ¹× device operation Àü¹®Áö½Ä º¸À¯ÀÚ ¤ýAixtron GaN MOCVD ¿î¿µ °æÇèÀÚ ¤ýPower Á¦Ç°°³¹ß °æ·Â 5³â ÀÌ»ó~ [±âŸ»çÇ×] ¤ýä¿ë±¸ºÐ: Á¤±ÔÁ÷ ¤ý±Ù¹«Áö: ÃæºÏ(À½¼º)/±â¼÷»ç Á¦°ø ¤ý¿¬ºÀ: ¸Å¿ì ÈíÁ·ÇÏ°Ô ÇùÀÇ/ ¿ª·® ¿ì¼ö ÇϽźи¸ ¤ý¹®ÀÇ: ***-****-****/ ******@*******.*** |
0 ¸í |
±Ù¹«Á¶°Ç
ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼·ù
Á¢¼ö¹æ¹ý
2024-05-28 (È) 23½Ã59ºÐ±îÁö
±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×