Power Àåºñ Çâ GaN Epi °øÁ¤°³¹ß/
                     (3³â ÀÌ»ó~ )
                 - ¹ÝµµÃ¼(ÄÚ½ºÇÇ)

¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç

¸ðÁýºÎ¹® ´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

Power Àåºñ Çâ

GaN Epi °øÁ¤°³¹ß/

(3³â ÀÌ»ó~ )

[´ã´ç¾÷¹«]

¤ýGaN¹°Áú ±â¹Ý power device Çâ Epi

  °øÁ¤ °³¹ß ¹× Æò°¡

  - ´ë¸éÀû(8") GaN on Si Epi °øÁ¤

  (±¸Á¶, Recipe) °³¹ß

  - ´ë¸éÀû(8") GaN on Si Epi ºÐ¼® ¹× 

  WBG Epi Ư¼º/½Å·Ú¼º Æò°¡

  - MOCVD ¼³ºñ °ü¸®/¿î¿µ

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

¤ýGaN on Si Epi(¡Ã8") °³¹ß/Æò°¡ °æÇè

¤ýMOCVD °ü¸®/¿î¿µ °æÇè(¡Ã3³â)


[¿ì´ë»çÇ×]

¤ýGaN epi ±¸Á¶ ¹× device operation Àü¹®Áö½Ä º¸À¯ÀÚ

¤ýAixtron GaN MOCVD ¿î¿µ °æÇèÀÚ

¤ýPower Á¦Ç°°³¹ß °æ·Â 5³â ÀÌ»ó~ 


[±âŸ»çÇ×]

¤ýä¿ë±¸ºÐ: Á¤±ÔÁ÷

¤ý±Ù¹«Áö: ÃæºÏ(À½¼º)/±â¼÷»ç Á¦°ø

¤ý¿¬ºÀ: ¸Å¿ì ÈíÁ·ÇÏ°Ô ÇùÀÇ/ ¿ª·® ¿ì¼ö ÇϽźи¸

¤ý¹®ÀÇ:  ***-****-****/ ******@*******.***


0 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇ ÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > ¸éÁ¢ÁøÇà > ÃÖÁ¾½É»ç > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Ãß°¡ Á¦Ãâ¼­·ù
    À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­

Á¢¼ö¹æ¹ý

2024-05-28 (È­) 23½Ã59ºÐ±îÁö

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: ÀÎÅ©·çÆ® ä¿ë½Ã½ºÅÛ
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ÀÎÅ©·çÆ® À̷¼­, ÀÚ»ç¾ç½Ä, ÀÚÀ¯¾ç½Ä

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.