SiC Epi °øÁ¤°³¹ß/
                    (3³â ÀÌ»ó~ ) 

                 - ¹ÝµµÃ¼(ÄÚ½ºÇÇ)

¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç

¸ðÁýºÎ¹® ´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

SiC Epi °øÁ¤°³¹ß/
(3³â ÀÌ»ó~ ) 

[´ã´ç¾÷¹«]

¤ýSiC power device Çâ Epi °øÁ¤ °³¹ß ¹× Æò°¡

¤ýMOCVD ¼³ºñ °ü¸®/¿î¿µ 

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

¤ý°æ·Â: SiC Epi(¡Ã6"") °³¹ß/Æò°¡ °æÇè

¤ýSiC Epi ¿ë High temp CVD °ü¸®/¿î¿µ °æÇè 3³â ÀÌ»ó


[¿ì´ë»çÇ×]

¤ýSiC Àü·Â¼ÒÀÚ °³¹ß,Æò°¡ °æÇèÀÚ

¤ýSiC Device operation Àü¹®Áö½Ä º¸À¯ÀÚ 

¤ýSiC(8"") Device operation Áö½Ä º¸À¯ÀÚ

¤ýAixtron SiC MOCVD ¿î¿µ °æÇèÀÚ 

¤ýPower Á¦Ç°°³¹ß °æ·Â 3³â ÀÌ»ó(¼®»ç), 

   5³â ÀÌ»ó(Çлç)


[±âŸ»çÇ×]

¤ýä¿ë±¸ºÐ: Á¤±ÔÁ÷

¤ý±Ù¹«Áö: ÃæºÏ(À½¼º)/±â¼÷»ç Á¦°ø

¤ý¿¬ºÀ: ¸Å¿ì ÈíÁ·ÇÏ°Ô ÇùÀÇ/ ¿ª·® ¿ì¼ö ÇϽźи¸

¤ý¹®ÀÇ:  ***-****-****/ ******@*******.***


0 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇ ÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > ¸éÁ¢ÁøÇà > ÃÖÁ¾½É»ç > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Ãß°¡ Á¦Ãâ¼­·ù
    À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­

Á¢¼ö¹æ¹ý

2024-05-28 (È­) 23½Ã59ºÐ±îÁö

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: ÀÎÅ©·çÆ® ä¿ë½Ã½ºÅÛ
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ÀÎÅ©·çÆ® À̷¼­, ÀÚ»ç¾ç½Ä, ÀÚÀ¯¾ç½Ä

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.