¹Ý¼®½áÄ¡(ÁÖ)

[Å×½½¶ó ÆÄÆ®³Ê ¹ÝµµÃ¼ »óÀå»ç]IGBTÁ¦Ç°±º ÀÀ¿ë±â¼ú

¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç

¸ðÁýºÎ¹® ´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø
IGBT ÀÀ¿ë±â¼ú

[´ã´ç¾÷¹«]

ÃßõÀÌÀ¯
#¹ÝµµÃ¼ #Å×½½¶ó #¿ª»ç

Position:IGBT ÀÀ¿ë±â¼ú

[´ã´ç¾÷¹«]
°¡. ½Å±Ô °³¹ß Item Spec. ¼±Á¤
³ª. °³¹ß Á¦Ç° Æò°¡(´Üǰ ¹× set Æò°¡) ¹× Spec. Á¦Á¤
´Ù. ½Å»óǰ Promotion ¹× Ãʵµ ·±Äª
¶ó. °í°´ ±â¼ú´ëÀÀ

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]
1) BJT, DIODE, MOSFET, IGBT µî Discrete ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú Áö½ÄÀ» º¸À¯
2) ¹ÝµµÃ¼ °ü·Ã °í°´ ±â¼úÁö¿ø ¹× ¼³°è Guide ¿ª·® º¸À¯
3) ´ëÁ¹ Çлç ÀÌ»ó
4) Àü±âÀüÀÚ¡¤¹ÝµµÃ¼Çаú µî
5) 10³â ÀÌ»ó

[¿ì´ë ¿ä°Ç]
¹ÝµµÃ¼ ¾÷Á¾ ÀÀ¿ë±â¼ú(Application Engineer), FAE(Field Application Engineer) °æ·Â,
ÆÄ¿ö¼­ÇöóÀÌ (SMPS) ¼³°è °æ·Â

[±Ù¹«Áö]
¼­¿ï ¼­Ãʱ¸



[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

°æ·Â: °æ·Â 8³â¡è
ÇзÂ: ´ëÁ¹
Á÷¹«±â¼ú: ¹ÝµµÃ¼, IGBT


0 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ȸ»ç³»±Ô

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > ¸éÁ¢ÁøÇà > ÃÖÁ¾½É»ç > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Ãß°¡ Á¦Ãâ¼­·ù
    À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­

Á¢¼ö¹æ¹ý

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: ÀÎÅ©·çÆ® Á¢¼ö
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ÀÎÅ©·çÆ® À̷¼­

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.

00