SiC MOSFET ¼ÒÀÚ°³¹ß/
                       (3~ 11³â)
                 - ¹ÝµµÃ¼(ÄÚ½ºÇÇ)

¸ðÁýºÎ¹® ¹× ÀÚ°Ý¿ä°Ç

¸ðÁýºÎ¹® ´ã´ç¾÷¹« ÀÚ°Ý¿ä°Ç Àοø

SiC MOSFET

¼ÒÀÚ°³¹ß/
(3³â ÀÌ»ó~ ) 

[´ã´ç¾÷¹«]

¤ýSiC MOSFET ¼ÒÀÚ°³¹ß

 - Fab °øÁ¤ °³¹ß/Integration 

 - Static & Dynamic Test ¹× ¼ÒÀÚ Àü±âÀû

   Æ¯¼º ÃøÁ¤/ºÐ¼®

 - °³¹ß Mask Á¦ÀÛ, TEG layout 

[ÀÚ°Ý¿ä°Ç]

¤ýÇзÂ: ±¹³»¿Ü 4³âÁ¦ Çлç ÀÌ»ó

¤ýÀü°ø: ÀüÀÚ/È­ÇÐ/¹°¸®/Àç·á µî ¹ÝµµÃ¼ °ü·Ã Àü°øÀÚ

¤ýPower Device/Á¦Ç°°³¹ß °æÇè 3³â ÀÌ»ó~ 


[¿ì´ë»çÇ×]

¤ýFab Process Engineering °æÇèÀÚ

¤ýDevice Physics ±³À° À̼öÀÚ


[±âŸ»çÇ×]

¤ýä¿ë±¸ºÐ: Á¤±ÔÁ÷

¤ý±Ù¹«Áö: ÃæºÏ(À½¼º)/±â¼÷»ç Á¦°ø

¤ý¿¬ºÀ: ¸Å¿ì ÈíÁ·ÇÏ°Ô ÇùÀÇ/ ¿ª·® ¿ì¼ö ÇϽźи¸

¤ý¹®ÀÇ:  ***-****-****/ ******@*******.***


0 ¸í

±Ù¹«Á¶°Ç

  • °í¿ëÇüÅÂ: Á¤±ÔÁ÷
  • ±Þ¿©Á¶°Ç: ¿¬ºÀ ÇùÀÇ ÈÄ °áÁ¤

ÀüÇü´Ü°è ¹× Á¦Ãâ¼­·ù

  • ÀüÇü´Ü°è: ¼­·ùÀüÇü > ¸éÁ¢ÁøÇà > ÃÖÁ¾½É»ç > ÃÖÁ¾ÇÕ°Ý
  • Ãß°¡ Á¦Ãâ¼­·ù
    À̷¼­, ÀÚ±â¼Ò°³¼­

Á¢¼ö¹æ¹ý

  • Á¢¼ö¹æ¹ý: ÀÎÅ©·çÆ® ä¿ë½Ã½ºÅÛ
  • Á¢¼ö¾ç½Ä: ÀÎÅ©·çÆ® À̷¼­, ÀÚ»ç¾ç½Ä, ÀÚÀ¯¾ç½Ä

±âŸ À¯ÀÇ»çÇ×

  • ÀÔ»çÁö¿ø¼­ ¹× Á¦Ãâ¼­·ù¿¡ ÇãÀ§»ç½ÇÀÌ ÀÖÀ» °æ¿ì ä¿ëÀÌ Ãë¼ÒµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.