Çö´ë¸ðºñ½º, ¹ÝµµÃ¼ ±â¼úÀü·« °æ·Â ¿¬±¸Á÷ ä¿ë¡¦ Â÷·®¿ë ¹ÝµµÃ¼ ÁßÀå±â Àü·« ¼ö¸³ ´ã´ç
Çö´ë¸ðºñ½º°¡ ¹ÝµµÃ¼»ç¾÷´ã´ç ºÎ¹®¿¡¼ ¹ÝµµÃ¼ ±â¼úÀü·« ºÐ¾ßÀÇ °æ·Â ¿¬±¸Á÷ ä¿ëÀ» ÁøÇàÇÑ´Ù. À̹ø ä¿ëÀº Â÷·®¿ë ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ±â¼ú ±âȹ°ú »óǰ Àü·«À» Àü´ãÇÒ ÀÎÀ縦 ã´Â °ÍÀ¸·Î, Àü·Â ¹ÝµµÃ¼¿Í ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼ Àü¹Ý¿¡ °ÉÄ£ Àü¹®¼ºÀ» °®Ãá °æ·ÂÀÚ¸¦ ´ë»óÀ¸·Î ÇÑ´Ù.
À̹ø¿¡ ä¿ëµÇ´Â ¿¬±¸Á÷Àº Å©°Ô ±â¼ú ±âȹ¡¤Àü·« ¼ö¸³, »óǰ ±âȹ¡¤½ÃÀå Àü·« ¼ö¸³, À¯°ü Á¶Á÷°úÀÇ Çù¾÷ ¼¼ ÃàÀ» Áß½ÉÀ¸·Î ¾÷¹«¸¦ ¸Ã°Ô µÈ´Ù. ±â¼ú ±âȹ Ãø¸é¿¡¼´Â IGBT, SiC, MOSFET µî Àü·Â ¹ÝµµÃ¼¿Í MCU, SoC, ¼¾¼ µî ½Ã½ºÅÛ ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ±â¼ú Æ®·»µå¸¦ Á¶»ç¡¤ºÐ¼®Çϰí, 10³â ÁßÀå±â Àü·«À» Áß½ÉÀ¸·Î Â÷·®¿ë ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú ·Îµå¸ÊÀ» ¼ö¸³ÇÏ´Â ¿ªÇÒÀ» °æÇèÇÏ°Ô µÈ´Ù. ¶ÇÇÑ »ç³»¿Ü ¿ä±¸»çÇ× ºÐ¼®À» ÅëÇØ ÇÙ½É ±â¼úÀ» Á¤ÀÇÇÏ°í ³»ÀçÈ Àü·«À» ¼¼¿ì´Â ÇÑÆí, R&D ±âȹ ¹× ±â¼ú º¥Ä¡¸¶Å·À» ÅëÇØ ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú ¿ª·® È®º¸¿¡µµ ±â¿©ÇÏ°Ô µÈ´Ù. »óǰ ±âȹ Ãø¸é¿¡¼´Â ¿Ï¼ºÂ÷ ¹× ÁÖ¿ä Tier-1 °í°´»çÀÇ ¿ä±¸»çÇ×À» ºÐ¼®ÇØ ±â¼ú ´ëÀÀ Àü·«À» µµÃâÇϰí, Àüµ¿È¿Í E/E ¾ÆÅ°ÅØÃ³ º¯È µî ÀüÀå ½Ã½ºÅÛ È帧¿¡ ¸Â´Â Á¦Ç°±ºÀ» ±âȹÇϸç, ±â´É¡¤¼º´É¡¤¿ø°¡¡¤Ç°ÁúÀ» Á¾ÇÕÀûÀ¸·Î °í·ÁÇÑ »óǰ Æ÷Æ®Æú¸®¿À¸¦ ±¸¼ºÇÏ´Â ¾÷¹«µµ ´ã´çÇÏ°Ô µÈ´Ù. ÀÌ¿Í ÇÔ²² °³¹ß¡¤¿µ¾÷ ºÎ¹®°úÀÇ ¿¬°è¸¦ ÅëÇÑ Á¦Ç°È ¹× »ç¾÷¼º °ËÅä, ¹ÝµµÃ¼ ¼³°è¡¤Á¦¾î±â ¼³°è¡¤¿µ¾÷¡¤Ç°Áú µî ³»ºÎ À¯°ü Á¶Á÷ °£ Çù¾÷, Àü·«Àû Çù·Â ÆÄÆ®³Ê ¹ß±¼ ¹× °øµ¿ °³¹ß ±¸Á¶ ±âȹ, °í°´»ç ¹× Á¦¾î±â ±â¼ú ´ëÀÀ°ú »ç¾ç¡¤ÄÁ¼Á Á¤ÀÇ ¾÷¹«µµ ÇÔ²² ¼öÇàÇÏ°Ô µÈ´Ù.
Áö¿ø ÀÚ°ÝÀº ÇØ´ç ºÐ¾ß 5³â ÀÌ»ó °æ·ÂÀÚÀ̸ç, ¼®»ç Á¹¾÷ÀÚÀÇ °æ¿ì 3³â ÀÌ»óÀÇ °æ·ÂÀ» °®Ã߸é Áö¿øÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. ¿ì´ë»çÇ×À¸·Î´Â ¹ÝµµÃ¼¡¤Àü±âÀüÀÚ °ü·Ã Àü°øÀÚ, Â÷·®¿ë ¹ÝµµÃ¼¿¡ ´ëÇÑ ÀÌÇØµµ º¸À¯ÀÚ, ¹ÝµµÃ¼ Á¦Ç° ±âȹ¡¤±â¼ú Àü·«¡¤¸¶ÄÉÆÃ ¾÷¹« °æÇè º¸À¯ÀÚ, Â÷·®¿ë Àü·Â¹ÝµµÃ¼ »óǰ ±âȹ ¹× ¼³°è °æÇè º¸À¯ÀÚ, Fabless/IDM ¾÷°è ³» ±â¼ú »ç¾ç¼¡¤·Îµå¸Ê ÀÛ¼º ¹× ±â¼ú Æ®·»µå ºÐ¼® °æÇè º¸À¯ÀÚ, ¿µ¾î Ä¿¹Â´ÏÄÉÀÌ¼Ç ´É·Â ¿ì¼öÀÚ°¡ ÇØ´çµÈ´Ù.
±Ù¹«Áö´Â °³²¿¬±¸¼ÒÀ̸ç, ÀÚ¼¼ÇÑ ³»¿ëÀº 'Çö´ë¸ðºñ½º'ÀÇ È¨ÆäÀÌÁö¿¡¼ È®ÀÎÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.